浪涌(沖擊)抗擾度(Surge)
1.浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)
1.1概述
浪涌抗擾度試驗(yàn)所依據(jù)的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)是IEC61000-4-5:2005，對(duì)應(yīng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)是GB/T17626.2:200X《電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)》。
浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)就是模擬雷擊帶來(lái)的干擾影響，但需要指出的是，考核設(shè)備電磁兼容性能的浪涌抗擾度試驗(yàn)不同于考核設(shè)備高壓絕緣能力的耐壓試驗(yàn)，前者jj是模擬間接雷擊的影響（直接的雷擊設(shè)備通常都無(wú)法承受）。
1.2浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)?zāi)康?/span>
本標(biāo)準(zhǔn)的目的是建立一個(gè)共同的基準(zhǔn)，以評(píng)價(jià)電氣和電子設(shè)備在遭受浪涌(沖擊)時(shí)的性能。本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了一個(gè)一致的試驗(yàn)方法，以評(píng)定設(shè)備或系統(tǒng)對(duì)規(guī)定現(xiàn)象的抗擾度。
1.3浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)應(yīng)用場(chǎng)合
本標(biāo)準(zhǔn)適用于電子電氣設(shè)備，但并不針對(duì)特定的設(shè)備或系統(tǒng)，具有基礎(chǔ)EMC電磁兼容出版物的地位。
2.術(shù)語(yǔ)和定義
2.1 浪涌（沖擊）
沿線(xiàn)路傳送的電流電壓或功率的瞬態(tài)波，其特性是先快速上升后緩慢下降。
2.2 組合波信號(hào)發(fā)生器
能產(chǎn)生1.2/50μs開(kāi)路電壓波形、8/20μs短路電流波形或10/700μs開(kāi)路電壓波形、5/320μs短路電流波形的信號(hào)發(fā)生器。
2.3 耦合網(wǎng)絡(luò)
將能量從一個(gè)電路傳送到另一個(gè)電路的電路。
2.4 去耦網(wǎng)絡(luò)
用于防止施加到上的浪涌沖擊影響其他不作試驗(yàn)的裝置設(shè)備或系統(tǒng)的電路。
2.5（浪涌發(fā)生器的）等效輸出阻抗
開(kāi)路電壓峰值與短路電流峰值的比值。
2.6 對(duì)稱(chēng)線(xiàn)
差模到共模轉(zhuǎn)換損耗大于20dB的平衡對(duì)線(xiàn)。
3.試驗(yàn)等級(jí)及選擇
優(yōu)先選擇的試驗(yàn)等級(jí)范圍如表1所示。
表1?試驗(yàn)等級(jí)
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等 級(jí)
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開(kāi)路試驗(yàn)電壓（±10%）
kV
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1
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0.5
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2
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1.0
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3
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2.0
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4
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4.0
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′1)
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特殊
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1) “′”可以是高于、低于或在其它等級(jí)之間的等級(jí)。該等級(jí)可以在產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定。
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1.試驗(yàn)等級(jí)應(yīng)根據(jù)安裝情況，安裝類(lèi)別如下：
0類(lèi):保護(hù)良好的電氣環(huán)境，常常在一間專(zhuān)門(mén)用房間內(nèi)。
所有引入電纜都有過(guò)電壓保護(hù)（**級(jí)和第二級(jí)）。各電子設(shè)備單元由設(shè)計(jì)良好的接地系統(tǒng)相互連接，并且該接地系統(tǒng)根本不會(huì)受到電力設(shè)備或雷電的影響
電子設(shè)備有特用電源（見(jiàn)表A1）
浪涌電壓不能超過(guò)25V。
1類(lèi)：有部分保護(hù)的電氣環(huán)境
所有引入室內(nèi)的電纜都有過(guò)電壓保護(hù)（**級(jí)）。各設(shè)備由地線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)相互良好連接，并且該地線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)不會(huì)受電力設(shè)備或雷電的影響。
電子設(shè)備有與其他設(shè)備完全隔離的電源。
開(kāi)關(guān)操作在室內(nèi)能產(chǎn)生干擾電壓。
浪涌電壓不能超過(guò)500V。
2類(lèi):電纜隔離良好，甚至短走線(xiàn)也隔離良好的電氣環(huán)境。
設(shè)備組通過(guò)單獨(dú)的地線(xiàn)接至電力設(shè)備的接地系統(tǒng)上，該接地系統(tǒng)幾乎都會(huì)遇到由設(shè)備組本身或雷電產(chǎn)生的干擾電壓。電子設(shè)備的電源主要靠專(zhuān)門(mén)的變壓器來(lái)與其他線(xiàn)路隔離。
本類(lèi)設(shè)備組中存在無(wú)保護(hù)線(xiàn)路，但這些線(xiàn)路隔離良好，且數(shù)量受到限制。
浪涌電壓不能超過(guò)1kV。
3類(lèi)：電源電纜和信號(hào)電纜平行敷設(shè)的電氣環(huán)境。
設(shè)備組通過(guò)電力設(shè)備的公共接地系統(tǒng)接地該接地。系統(tǒng)幾乎都會(huì)遇到由設(shè)備組本身或雷電產(chǎn)生的干擾電壓。
在電力設(shè)施內(nèi)，由接地故障、開(kāi)關(guān)操作和雷擊而引起的電流會(huì)在接地系統(tǒng)中產(chǎn)生幅值較高的干擾電壓。受保護(hù)的電子設(shè)備和靈敏度較差的電氣設(shè)備被接到同一電源網(wǎng)絡(luò)。互連電纜可以有一部分在戶(hù)外但緊靠接地網(wǎng)。
設(shè)備組中有未被**的感性負(fù)載，并且通常對(duì)不同的現(xiàn)場(chǎng)電纜沒(méi)有采取隔離。
浪涌電壓不能超過(guò)2kV。
4類(lèi)：互連線(xiàn)作為戶(hù)外電纜沿電源電纜敷設(shè)并且這些電纜被作為電子和電氣線(xiàn)路的電氣環(huán)境設(shè)備組接到電力設(shè)備的接地系統(tǒng)，該接地系統(tǒng)容易遭受由設(shè)備組本身或雷電產(chǎn)生的干擾電壓。
在電力設(shè)施內(nèi)，由接地故障、開(kāi)關(guān)操作和雷電產(chǎn)生的幾千安級(jí)電流在接地系統(tǒng)中會(huì)產(chǎn)生幅值較高的干擾電壓。電子設(shè)備和電氣設(shè)備可能使用同一電源網(wǎng)絡(luò)?；ミB電纜象戶(hù)外電纜一樣走線(xiàn)甚至連到高壓設(shè)備上。
這種環(huán)境下的一種特殊情況是電子設(shè)備接到人口稠密區(qū)的通信網(wǎng)上。這時(shí)在電子設(shè)備以外，沒(méi)有系統(tǒng)性結(jié)構(gòu)的接地網(wǎng)，接地系統(tǒng)j由管道、電纜等組成。
浪涌電壓不能超過(guò)4kV。
5類(lèi)：在非人口稠密區(qū)電子設(shè)備與通信電纜和架空電力線(xiàn)路連接的電氣環(huán)境。
所有這些電纜和線(xiàn)路都有過(guò)電壓（**級(jí)）保護(hù)。在電子設(shè)備以外，沒(méi)有大范圍的接地系統(tǒng)（暴露的裝置）。由接地故障（電流達(dá)10Ka）和雷電（電流達(dá)100Ka）引起的干擾電壓是非常高的。
試驗(yàn)等級(jí)4包括了這一類(lèi)的要求。
X類(lèi):在產(chǎn)品技術(shù)要求中規(guī)定的特殊環(huán)境。
浪涌（信號(hào)發(fā)生器）與安裝類(lèi)別的關(guān)系如下：
1~4類(lèi)：1.2/50μs(80/20μs)
第5類(lèi)：對(duì)電源線(xiàn)端口和短距離信號(hào)電路/線(xiàn)路端口：1.2/50μs(80/20μs)
1~5類(lèi)：對(duì)對(duì)稱(chēng)通信線(xiàn)路：10/700μs(5/320μs)
源阻抗應(yīng)與各有關(guān)試驗(yàn)配置中標(biāo)注的一樣。
4.試驗(yàn)設(shè)備
規(guī)定了兩種類(lèi)型的組合波信號(hào)發(fā)生器，并根據(jù)受試端口的類(lèi)型，有各自特殊的應(yīng)用。對(duì)于連接到對(duì)稱(chēng)通信線(xiàn)的端口，應(yīng)使用10/700μs的組合波信號(hào)發(fā)生器。對(duì)于其他情況，特別是連接到電源線(xiàn)和短距離信號(hào)互連線(xiàn)的端口，應(yīng)使用1.2/50μs的組合波信號(hào)發(fā)生器。
4.1 1.2/50μs的組合波信號(hào)發(fā)生器
施加到EUT上的波形應(yīng)滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定。波形的規(guī)定采用開(kāi)路電壓和短路電流，并應(yīng)在未連接的情況下測(cè)量。對(duì)于交流或直流供電的產(chǎn)品，浪涌應(yīng)施加到交流或直流電源線(xiàn)上，輸出必須滿(mǎn)足表6和表7的規(guī)定。對(duì)于浪涌由信號(hào)發(fā)生器的輸出端直接輸出的情況，其輸出波形應(yīng)滿(mǎn)足表2的規(guī)定。當(dāng)連接到EUT時(shí)，不要求信號(hào)源的輸出波形和耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的輸出波形同時(shí)滿(mǎn)足要求。但在無(wú)EUT連接的情況下，波形的規(guī)定應(yīng)該被滿(mǎn)足。
信號(hào)發(fā)生器應(yīng)產(chǎn)生的浪涌波形：開(kāi)路電壓波前時(shí)間1.2μs；開(kāi)路電壓半峰值時(shí)間50μs；短路電流波前時(shí)間8μs；短路電流半峰值時(shí)間20μs。
圖1為1.2/50μs組合波信號(hào)發(fā)生器的電路原理圖。選擇不同元件RS1、RS2、Rm、Lr和Cc的值，以使信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生1.2/50μs的電壓浪涌（開(kāi)路狀態(tài)下）和8/20μs的電流浪涌（短路情況）。
U—高壓源；Rc—充電電阻；Cc—儲(chǔ)能電阻；Rs—脈沖持續(xù)時(shí)間形成電阻；
Rm—阻抗匹配電阻；Lr—上升時(shí)間形成電感
圖1?組合波信號(hào)發(fā)生器的電路原理圖（1.2/50μs—8/20μs）
為方便起見(jiàn)，定義浪涌信號(hào)發(fā)生器的等效輸出阻抗為開(kāi)路輸出電壓峰值與短路輸出電流峰值之比。信號(hào)發(fā)生器的等效輸出阻抗為2Ω。
信號(hào)發(fā)生器的特征與性能
極性：正/負(fù)；
相位偏移：隨交流電源相角在0°~360°變化；
重復(fù)率：每分鐘至少一次；
開(kāi)路輸出電壓峰值：至少在0.5kV~4.0kV范圍內(nèi)能輸出；
浪涌電壓波形：見(jiàn)圖2和表2；
開(kāi)路輸出電壓容差：見(jiàn)表3；
短路輸出電流峰值：與電壓峰值相關(guān)（見(jiàn)表2和表3）；
浪涌電流波形：見(jiàn)圖3和表2；
短路輸出電流容差：見(jiàn)表3；
等效輸出阻抗：2Ω ± 10%；
短路電流峰值和開(kāi)路電壓峰值的關(guān)系見(jiàn)表3。
應(yīng)該使用輸出端浮地的信號(hào)發(fā)生器。
表2?波形參數(shù)的定義 1.2/50μs—8/20μs
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定義
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根據(jù)GB/T 16927.1
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根據(jù)IEC 60469-1
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波前時(shí)間
μs
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半峰值時(shí)間
μs
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上升時(shí)間
（10% ~ 90%）
μs
|
持續(xù)時(shí)間
（50% ~ 50%）
μs
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開(kāi)路電壓
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1.2 ± 30%
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50 ± 20%
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1 ± 30%
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50 ± 20%
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短路電流
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8 ± 20%
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20 ± 20%
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6.4 ± 20%
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16 ± 20%
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注：在現(xiàn)行IEC出版物中，1.2/50μs和8/20μs波形通常按GB/T 16927.1規(guī)定，如圖2和圖3所示。其他的IEC推薦標(biāo)準(zhǔn)按IEC 60469-1規(guī)定波形，如表2所示。
本標(biāo)準(zhǔn)兩種規(guī)定都是有效的，但所指的是同一信號(hào)發(fā)生器。
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表3?開(kāi)路電壓峰值和短路電流峰值的關(guān)系
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開(kāi)路電壓峰值 ±10%
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短路電流峰值 ±10%
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0.5 kV
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0.25 kA
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1.0 kV
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0.5 kA
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2.0 kV
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1.0 kA
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4.0 kV
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2.0 kA
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波前時(shí)間：T1=1.67×T=1.2μs±30%
半峰值時(shí)間：T2=50μs±20%
注：耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)輸出端的開(kāi)路電壓波形可能存在較大的下沖，基本上同圖2所示的曲線(xiàn)。
圖2?未連接CDN的信號(hào)發(fā)生器輸出端的開(kāi)路電壓波形（1.2/50μs）（按GB/T 16927.1的波形規(guī)定）
波前時(shí)間：T1=1.25×T=8μs±20%
半峰值時(shí)間：T2=20μs±20%
注：30%的下沖規(guī)定只適用于信號(hào)發(fā)生器的輸出端。在耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的輸出端，沒(méi)有下沖或過(guò)沖的限制。
圖3?未連接CDN的信號(hào)發(fā)生器輸出端的短路電流波形（8/20μs）（按GB/T 16927.1的波形規(guī)定）
4.2 10/700μs的組合波信號(hào)發(fā)生器
信號(hào)發(fā)生器應(yīng)產(chǎn)生的浪涌波形：開(kāi)路電壓波前時(shí)間10μs；開(kāi)路電壓半峰值時(shí)間700μs。
圖4為10/700μs組合波信號(hào)發(fā)生器的電路原理圖。選擇不同的元件值，以使信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生10/700μs的浪涌。
U—高壓源；Rc—充電電阻 ；Cc—儲(chǔ)能電容；Rs—脈沖持續(xù)時(shí)間形成電阻；
Rm—阻抗匹配電阻；Cs—上升時(shí)間形成電容；S1—使用外部匹配電阻時(shí)，開(kāi)關(guān)閉合
圖4?組合波信號(hào)發(fā)生器的電路原理圖（10/700μs-5/320μs）（根據(jù)ITU K系列標(biāo)準(zhǔn)）
信號(hào)發(fā)生器的特征與性能
極性：正/負(fù)；
重復(fù)率：每分鐘至少一次；
開(kāi)路輸出電壓峰值：至少在0.5kV~4.0kV范圍內(nèi)能輸出
浪涌電壓波形：見(jiàn)圖5和表4；
開(kāi)路輸出電壓容差：見(jiàn)表5；
短路輸出電流峰值：與電壓峰值相關(guān)（見(jiàn)表4和表5）；
短路輸出電流容差：見(jiàn)表5；
等效輸出阻抗：40Ω ± 10%（j對(duì)信號(hào)發(fā)生器的輸出端）。
注：等效輸出阻抗通常包括內(nèi)部電阻Rm1（15Ω）和Rm2（25Ω）。電阻Rm2可以被旁路、并聯(lián)或短路，當(dāng)用于多路耦合時(shí)，可被外部耦合電阻代替，見(jiàn)圖14。
波前時(shí)間：T1=1.67×T=10μs±30%
半峰值時(shí)間：T2=700μs±20%
圖5?開(kāi)路電壓波形（10/700μs）（按GB/T 16927.1的波形規(guī)定）
波前時(shí)間：T1=1.25×T=5μs±20%
半峰值時(shí)間：T2=320μs±20%
注：在GB/T 16927.1中，波形規(guī)定為5/320μs，而在IEC 60469-1中規(guī)定為4/300μs。另外，這個(gè)波形是在圖4開(kāi)關(guān)S1打開(kāi)情況下測(cè)量的。
圖6?短路電流波形（5/320μs）（按GB/T 16927.1的波形規(guī)定）
表4?波形參數(shù)的定義 10/700μs—5/320μs
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定義
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根據(jù)ITU-T K系列和GB/T 16927.1
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根據(jù)IEC 60469-1
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波前時(shí)間
μs
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半峰值時(shí)間
μs
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上升時(shí)間
（10% ~ 90%）
μs
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持續(xù)時(shí)間
（50% ~ 50%）
μs
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開(kāi)路電壓
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10 ± 30%
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700 ± 20%
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6.5 ± 30%
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700 ± 20%
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短路電流
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5 ± 20%
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320 ± 20%
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4 ± 20%
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300 ± 20%
<!--[if !supportLineBreakNewLine]-->
<!--[endif]-->
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注：
在現(xiàn)行IEC和ITU-T出版物中，10/700μs波形通常按GB/T 16927.1規(guī)定，如圖5和圖6所示。其他的IEC推薦標(biāo)準(zhǔn)按IEC 60469-1規(guī)定波形，如表4所示。
本標(biāo)準(zhǔn)兩種規(guī)定都是有效的，但所指的是同一信號(hào)發(fā)生器。
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表5?開(kāi)路電壓峰值和短路電流峰值的關(guān)系
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開(kāi)路電壓峰值 ±10%
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短路電流峰值 ±10%
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0.5 kV
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12.5 A
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1.0 kV
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25 A
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2.0 kV
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50 A
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4.0 kV
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100 A
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注：在圖4開(kāi)關(guān)S1打開(kāi)情況下測(cè)量短路電流峰值。
短路電流峰值和開(kāi)路電壓峰值的關(guān)系見(jiàn)表5
4.3 耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)
每個(gè)耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)（CDN）都包括去耦網(wǎng)絡(luò)和耦合元件，示例見(jiàn)圖7到圖15。
圖7?交/直流線(xiàn)上電容耦合的試驗(yàn)配置實(shí)例；線(xiàn)-線(xiàn)耦合（見(jiàn)7.2）
圖8 交/直流線(xiàn)上電容耦合的試驗(yàn)配置實(shí)例；線(xiàn)-地耦合（見(jiàn)7.2）
圖9 交流線(xiàn)（三相）上電容耦合的試驗(yàn)配置實(shí)例；線(xiàn)L3-線(xiàn)L1耦合（見(jiàn)7.2）
圖10 交流線(xiàn)（三相）上電容耦合的試驗(yàn)配置實(shí)例；線(xiàn)L3-地耦合（見(jiàn)7.2）
1開(kāi)關(guān)） S1：線(xiàn)-地，置于“0”；線(xiàn)-線(xiàn)，置于“1”～“4”。
2） 開(kāi)關(guān)S2：試驗(yàn)時(shí)置于“1”～“4”，但與S1不在相同的位置。
3） L=20mH，RL為L的電阻部分。
圖11 非屏蔽不對(duì)稱(chēng)的互連線(xiàn)配置實(shí)例；線(xiàn)-線(xiàn)/線(xiàn)-地耦合（見(jiàn)7.3），用電容耦合
4） 開(kāi)關(guān)S1：線(xiàn)-地，置于“0”；線(xiàn)-線(xiàn)，置于“1”～“4”。
5） 開(kāi)關(guān)S2:試驗(yàn)時(shí)置于“1”～“4”但與S1不在相同的位置。
6） L=20mH，RL為L的電阻部分。
圖12 非屏蔽不對(duì)稱(chēng)的互連線(xiàn)配置實(shí)例；線(xiàn)-線(xiàn)/線(xiàn)-地耦合（見(jiàn)7.3），用氣體放電管耦合
7）開(kāi)關(guān)S1：線(xiàn)-地，置于“0”；線(xiàn)-線(xiàn)，置于“1”～“4”。
8） 開(kāi)關(guān)S2:試驗(yàn)時(shí)置于“1”～“4”但與S1不在相同的位置。
9） L=20mH，RL為L(zhǎng)的電阻部分。
圖13 非屏蔽不對(duì)稱(chēng)的互連線(xiàn)配置實(shí)例；線(xiàn)-線(xiàn)/線(xiàn)-地耦合（見(jiàn)7.3），用耦合電路耦合
使用XWG(1.2/50μs信號(hào)發(fā)生器)時(shí)Rm2的計(jì)算；例如：n＝4 Rm2＝4x40Ω=160Ω，**250Ω。
使用XWG(10/700μs信號(hào)發(fā)生器)時(shí)Rm2的計(jì)算；內(nèi)部阻抗Rm2（25Ω）由外部阻抗Rm2= nx25Ω代替（對(duì)于n個(gè)導(dǎo)體，n等于或大于2）例如：n＝4 Rm2＝4x25Ω=100Ω，Rm2不應(yīng)超過(guò)250Ω。
L=20mH，圖中所示的4個(gè)扼流線(xiàn)圈可能全部或jj兩個(gè)有效。
RL的值取決于傳輸信號(hào)允許的衰減。
圖14 非屏蔽對(duì)稱(chēng)工作互連線(xiàn)（通信線(xiàn)）試驗(yàn)配置示列，線(xiàn)-地耦合（見(jiàn)7.4），用氣體放電管耦合
注1 L2是4匝的電流**線(xiàn)圈，防止給模擬電路供電時(shí)產(chǎn)生飽和。并且，L2應(yīng)該有較低的阻抗；例如：<<1Ω，并接到L2的阻抗也許降低整個(gè)阻抗。
注2 RA和RB 的阻抗應(yīng)盡可能低，以防止形成共振或沖擊。
注3 RC和RD是80Ω的絕緣隔離電阻。
注4 由于電感很容易飽和，對(duì)于10/700μs的波形建議不使用本耦合去耦網(wǎng)絡(luò)
圖15 使用1.2/50μs浪涌波的對(duì)稱(chēng)高速通信線(xiàn)的耦合去耦網(wǎng)絡(luò)的配置實(shí)例
在交流或直流電源線(xiàn)上，去耦網(wǎng)絡(luò)提供較高的阻抗以阻止浪涌波形，同時(shí)允許交流和直流電供給EUT。這個(gè)阻抗允許電壓波形施加到耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的輸出端，并防止浪涌電流返回到交流或直流電源。采用適當(dāng)大小的高壓電容作為耦合元件，可以使全部持續(xù)時(shí)間的浪涌耦合到EUT。用于交流或直流電源線(xiàn)的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)，應(yīng)使開(kāi)路電壓波形和短路電流波形滿(mǎn)足表6和表7的容差要求。
表6?耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)EUT端口的電壓波形規(guī)格
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開(kāi)路條件下的浪涌電壓參數(shù)
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耦合阻抗
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18μF
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9μF + 10Ω
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波前時(shí)間
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1.2μs ± 30%
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1.2μs ± 30%
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半峰值時(shí)間：
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額定電流<25A
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50μs +10μs/-10μs
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50μs +10μs/-25μs
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額定電流 25A – 60A
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50μs +10μs/-15μs
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50μs +10μs/-30μs
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額定電流 60A – 100A
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50μs +10μs/-20μs
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50μs +10μs/-35μs
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注：應(yīng)在耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)電源輸入端開(kāi)路的情況下測(cè)量浪涌電壓參數(shù)。
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表7?耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)EUT端口的電流波形規(guī)格
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短路條件下的浪涌電流參數(shù)
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耦合阻抗
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18μF
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9μF + 10Ω
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波前時(shí)間
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8μs ± 20%
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2.5μs ± 30%
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半峰值時(shí)間：
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20μs ± 20%
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25μs ± 30%
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注：應(yīng)在耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)電源輸入端開(kāi)路的情況下測(cè)量浪涌電流參數(shù)。
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對(duì)于I/O線(xiàn)和通信線(xiàn)，去耦網(wǎng)絡(luò)的串聯(lián)阻抗會(huì)限制數(shù)據(jù)傳輸?shù)挠杏脦挕．?dāng)使用耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)使試驗(yàn)無(wú)法進(jìn)行時(shí)，應(yīng)使用6.3.3條規(guī)定的程序。當(dāng)線(xiàn)路能夠容忍容性負(fù)載的影響，可以使用電容作為耦合元件（6.3.2.1），或者用氣體放電管（6.3.2.2和6.3.2.3）。當(dāng)耦合到互連線(xiàn)時(shí)，使用6.3.2規(guī)定的耦合裝置，可能會(huì)造成波形失真。
每個(gè)耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)都應(yīng)滿(mǎn)足6.3.1到6.3.3的要求。應(yīng)根據(jù)下面的流程圖選用耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)。
4.3.1 用于交/直流電源線(xiàn)的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)
電壓和電流的波前時(shí)間和半峰值時(shí)間應(yīng)分別在開(kāi)路情況下和短路情況下，在耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的EUT端口校驗(yàn)。30%的下沖j適用于發(fā)生器的輸出端。對(duì)于耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的輸出端，無(wú)下沖或過(guò)沖的限制。信號(hào)發(fā)生器的輸出或其耦合網(wǎng)絡(luò)應(yīng)與有足夠帶寬和電壓量程的測(cè)量系統(tǒng)連接，以便監(jiān)視開(kāi)路電壓波形
對(duì)于線(xiàn)-線(xiàn)耦合，浪涌應(yīng)通過(guò)18μF電容耦合，如圖7和圖9所示。
對(duì)于線(xiàn)-地耦合，浪涌應(yīng)通過(guò)9μF電容串聯(lián)10Ω電容耦合，如圖8和圖10所示。去耦電感的大小由設(shè)備制造商選擇，使耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)EUT連接器處的電源電壓下降低于額定值的10%，但不超過(guò)1.5mH。
對(duì)于額定電流>25A的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)，為了防止其造成過(guò)多的電壓下降，去耦元件的值通常須減小。在這種情況下，開(kāi)路電壓波形的半峰值時(shí)間也可能減小，見(jiàn)表6和表7。
注：對(duì)于額定輸入電流大于100A的EUT，浪涌不通過(guò)耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)直接施加到未加電的EUT上，是**可行的試驗(yàn)方法。本標(biāo)準(zhǔn)第9條的性能判據(jù)只適用于EUT通電的情況，如果EUT在不通電的情況下進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)在試驗(yàn)結(jié)束后開(kāi)機(jī)，用第9條的性能判據(jù)d進(jìn)行判定。如果EUT（如單門(mén)的控制單元）由于電源電流要求大于100A而不可能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)進(jìn)行試驗(yàn)，那么局部的試驗(yàn)也是可以接受的。
當(dāng)EUT沒(méi)有連接時(shí),在去耦網(wǎng)絡(luò)電源輸入端上的殘余浪涌電壓不應(yīng)超過(guò)所施加試驗(yàn)電壓的15%或耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)額定電壓峰值的兩倍，兩者中取較大者。
當(dāng)EUT沒(méi)有連接且耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)輸入端開(kāi)路時(shí), 在未施加浪涌線(xiàn)路上的殘余浪涌電壓不應(yīng)超過(guò)**可施加電壓的15%。
上述單相（相線(xiàn)、中線(xiàn)、保護(hù)接地）系統(tǒng)的特性對(duì)三相系統(tǒng)（三根相線(xiàn)、中線(xiàn)和保護(hù)接地）同樣有效。
4.3.2 用于互連線(xiàn)的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)
耦合方法應(yīng)根據(jù)電路的功能以及運(yùn)行狀態(tài)來(lái)進(jìn)行選擇。產(chǎn)品技術(shù)要求中應(yīng)該對(duì)此作出規(guī)定。
利用電容耦合所進(jìn)行的測(cè)試可能不會(huì)產(chǎn)生和放電管耦合相同的結(jié)論。如果要優(yōu)先選用一種特殊的耦合方式，則應(yīng)該在產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中作出規(guī)定。在任何情況下，所采用的耦合方式都應(yīng)該在測(cè)試報(bào)告中注明。如果信號(hào)線(xiàn)對(duì)稱(chēng)，則電流補(bǔ)償電感器就能夠在去耦網(wǎng)絡(luò)中應(yīng)用。
4.3.2.1 采用電容器的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)
在能夠維持線(xiàn)路正確運(yùn)行的情況下，對(duì)于非屏蔽不對(duì)稱(chēng)的I/O電路，推薦用電容耦合方式。如圖11所示為一個(gè)耦合網(wǎng)絡(luò)的例子。耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的推薦參數(shù)為：耦合元件 R = 40?，C = 0.5 μF；去耦電感 L = 20 mH。
4.3.2.2 采用鉗位裝置的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)
本方法可以用在因功能問(wèn)題而不能使用電容耦合的場(chǎng)合。該功能問(wèn)題是由電容接至EUT而引起的（見(jiàn)圖11）。一些鉗位裝置有一個(gè)比較低的寄生電容并且允許與許多型號(hào)的I/O連線(xiàn)相連接。
當(dāng)如圖11所示的電容與一套鉗位裝置耦合時(shí)，該電容可以用如圖13所示的一套單獨(dú)的鉗位裝置或電路來(lái)代替。
該裝置的鉗位電壓應(yīng)該選擇的盡可能小，但是要高于被測(cè)線(xiàn)路的**工作電壓。
耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的推薦參數(shù)為：
耦合電阻 R = 40Ω再加上所選鉗位裝置的阻抗；
去耦電感 L = 20 mH.
鉗位裝置的EUT輸出端的脈沖波形由脈沖幅度和鉗位裝置本身的特性決定；因此，不可能規(guī)定波形的量值和容差。
4.3.2.3 采用雪崩裝置的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)
本方法可以用在因功能問(wèn)題而不能使用電容耦合的場(chǎng)合。該功能問(wèn)題是由電容接至EUT而引起的（見(jiàn)圖11）。硅雪崩裝置或氣體放電管都有一個(gè)較低的寄生電容并且允許與更多型號(hào)的I/O連線(xiàn)相連接。然而，典型的氣體放電管有一個(gè)較高的點(diǎn)火電壓，它將嚴(yán)重影響浪涌耦合的波形。
如圖12所示為一個(gè)采用放電管的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的例子。
放電管的工作電壓應(yīng)該選的盡可能小，但是要高于被測(cè)線(xiàn)路的工作電壓。
耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的推薦參數(shù)為：
耦合電阻 R = 40 Ω再加上放電管的阻抗（充有氣體的或固態(tài)的）；
去耦電感 L = 20 mH。
雪崩裝置的EUT輸出端的脈沖波形由脈沖幅度和雪崩裝置本身的特性決定；因此，不可能規(guī)定波形的量值和容差。
4.3.3 用于對(duì)稱(chēng)線(xiàn)的氣體放電管耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)
對(duì)于非屏蔽對(duì)稱(chēng)電路（通信），推薦用氣體放電管耦合，如圖14所示。
在多芯電纜中，耦合網(wǎng)絡(luò)還具有調(diào)節(jié)浪涌分布的任務(wù)。
因此，耦合網(wǎng)絡(luò)的阻抗Rm2（對(duì)n芯電纜）應(yīng)為n x 40Ω（n≥2）。Rm2不應(yīng)超過(guò)250Ω。
示例1：信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生一個(gè)1.2/50μs的浪涌：n = 4，Rm2 = 4 x 40Ω，信號(hào)發(fā)生器的總阻抗值大約為42Ω。
示例2：信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生一個(gè)10/700μs的浪涌：n = 4，Rm2 = 4 x 25Ω。當(dāng)信號(hào)發(fā)生器的S1端口閉合時(shí)，其阻抗Rm1 (15Ω)的總值約為42Ω，如圖4所示。
耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的推薦參數(shù)為：
耦合電阻： Rm2加上放電管的阻抗；
去耦電感： L = 20 mH。
放電管的EUT輸出端的脈沖波形由脈沖幅度和放電管本身的特性決定；因此，不可能規(guī)定波形的量值和容差
4.3.4 用于高速通信線(xiàn)路的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)
由于物理結(jié)構(gòu)的限制，大部分耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的處理頻段被限制在100kHz。如果沒(méi)有適當(dāng)?shù)鸟詈?/span>/去耦網(wǎng)絡(luò)用于商用的場(chǎng)合，浪涌應(yīng)被直接施加到高速通信數(shù)據(jù)端口。
耦合方式可選作為一種電路的功能和運(yùn)行條件。這一點(diǎn)必須在產(chǎn)品規(guī)格中規(guī)定。
一個(gè)針對(duì)高速線(xiàn)路的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)，只要不影響通信，就能夠使用。如圖15所示。
5.試驗(yàn)配置
5.1 試驗(yàn)設(shè)備
試驗(yàn)配置包括設(shè)備：
－ 受試設(shè)備（EUT）；
－ 輔助設(shè)備（AE）；
－ 電纜（規(guī)定類(lèi)型和長(zhǎng)度）；
－ 耦合去耦網(wǎng)絡(luò)；
－ 組合波信號(hào)發(fā)生器；
－ 耦合網(wǎng)絡(luò)/保護(hù)裝置；
－ 當(dāng)試驗(yàn)頻率較高（如經(jīng)過(guò)氣體放電管耦合）和按7.6.1所述和圖17對(duì)屏蔽電纜測(cè)試時(shí)，需要金屬接地參考平板。只有EUT的典型安裝有金屬接地參考平面，試驗(yàn)時(shí)連接到接地參考平面才是必須的。
5.2 EUT電源端試驗(yàn)的配置
1.2/50μs的浪涌經(jīng)電容耦合網(wǎng)絡(luò)加到EUT電源端上（見(jiàn)圖7、圖8、圖9和圖10）。為避免對(duì)同一電源供電的非受試設(shè)備產(chǎn)生不利影響，并為浪涌波提供足夠的去耦阻抗，以便將規(guī)定的浪涌施加到受試線(xiàn)纜上，需要使用去耦網(wǎng)絡(luò)。
如果沒(méi)有其它規(guī)定，EUT和耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)之間的電源線(xiàn)長(zhǎng)度不應(yīng)超過(guò)2m。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，只有直接連接到交流和直流電源系統(tǒng)的端口才被認(rèn)為是電源端口。
對(duì)沒(méi)有接地線(xiàn)的或外部接地端的雙重絕緣產(chǎn)品，測(cè)試應(yīng)按接地設(shè)備的方法進(jìn)行，但是不允許添加額外的外部接地連接。如沒(méi)有其它接地連接的可能，可以不進(jìn)行線(xiàn)到地測(cè)試。
5.3 非屏蔽不對(duì)稱(chēng)互連線(xiàn)試驗(yàn)的配置
通常，按圖10用電容向線(xiàn)路施加浪涌。耦合去耦網(wǎng)絡(luò)對(duì)受試線(xiàn)路的規(guī)定功能狀態(tài)不應(yīng)產(chǎn)生影響。
圖12和13給出了另一種試驗(yàn)配置（用氣體放電耦合）供具有較高信號(hào)傳輸頻率的線(xiàn)路使用，應(yīng)根據(jù)傳輸率下的容性負(fù)載來(lái)選擇耦合方法。本方法降低了EUT上的容性負(fù)載，也許更適合高頻電路。
如果沒(méi)有其它規(guī)定，EUT和耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)之間的互連線(xiàn)長(zhǎng)度不應(yīng)超過(guò)2m。
5.4 非屏蔽對(duì)稱(chēng)互連通信線(xiàn)的試驗(yàn)配置
對(duì)于對(duì)稱(chēng)互連/通信線(xiàn)路（見(jiàn)圖14），通常不使用電容耦合的方法，而采用氣體放電管耦合。不能對(duì)氣體放電管觸發(fā)點(diǎn)（對(duì)90V氣體放電管約為300V）以下的試驗(yàn)等級(jí)作規(guī)定。
注：應(yīng)注意兩種試驗(yàn)布置：
a) 對(duì)j在EUT有第二級(jí)保護(hù)的設(shè)備級(jí)抗擾度試驗(yàn)配置，用較低的試驗(yàn)等級(jí)，如0.5kV或1kV。
b) 對(duì)有**級(jí)保護(hù)的系統(tǒng)級(jí)抗擾度試驗(yàn)配置，用較高的試驗(yàn)等級(jí)，如2kV或4kV。
如果沒(méi)有其它規(guī)定，EUT和耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)之間的互連線(xiàn)長(zhǎng)度不應(yīng)超過(guò)2m。
5.5 高速通信線(xiàn)的試驗(yàn)布置
當(dāng)傳輸數(shù)據(jù)速率較高或傳輸頻率較高，不能使用耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)時(shí)，可使用本章的試驗(yàn)配置，如圖15所示。
試驗(yàn)前，檢驗(yàn)端口是否工作正常；然后斷開(kāi)外部設(shè)備，不用耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)直接將浪涌施加在端口終端上，浪涌施加完后，再次檢驗(yàn)端口是否工作正常。
試驗(yàn)中，EUT在沒(méi)有連接端口時(shí)應(yīng)功能正常，然而，應(yīng)注意到，有些EUT在數(shù)據(jù)/通信線(xiàn)被拔掉后，將從內(nèi)部試圖關(guān)掉或斷開(kāi)通信端口。如果可能，應(yīng)采取措施確保EUT在試驗(yàn)過(guò)程中數(shù)據(jù)/通信端口工作正常。
注：耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)含低通濾波元件，能夠阻止浪涌的高頻分量通過(guò)，但低頻信號(hào)和電源能通過(guò)。當(dāng)所需信號(hào)的頻率超過(guò)100kHz或數(shù)據(jù)傳輸率大約100kbit/s，浪涌試驗(yàn)中所需的濾波元件將**降低有用信號(hào)。
5.6 屏蔽線(xiàn)的試驗(yàn)配置
對(duì)于屏蔽線(xiàn)，耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)不再適用，在此情況可用7.6.1或7.6.2所示的試驗(yàn)配置。
5.6.1直接施加
EUT與地絕緣，浪涌直接施加在它的金屬外殼；受試端口的終端（或輔助設(shè)備）接地。該試驗(yàn)適用于使用單層或多層屏蔽電纜的設(shè)備（見(jiàn)圖16和圖17）。
注：圖16或圖17提到的接地參考平面是一低阻抗參考點(diǎn)，采用特用電纜或接地平板更易實(shí)現(xiàn)該要求。除受試端口，所有與EUT連接的端口都應(yīng)該通過(guò)合適方法如安全隔離變壓器或合適的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)與地絕緣。在受試端口和連接到該端口的電纜的另一端的裝置（輔助設(shè)備見(jiàn)圖16和圖17）之間的電纜的長(zhǎng)度應(yīng)該是EUT規(guī)定的**長(zhǎng)度或20m兩者之間的短者，如果長(zhǎng)度超過(guò)1m，應(yīng)該按非電感性的結(jié)構(gòu)捆扎。
屏蔽線(xiàn)施加浪涌的規(guī)則：
a) 兩端接地的屏蔽線(xiàn)
按圖16給屏蔽層施加浪涌。
b) 一端接地的屏蔽線(xiàn)
按圖17進(jìn)行試驗(yàn)，如果在安裝中，屏蔽層j在輔助設(shè)備端接地，則試驗(yàn)應(yīng)該在這種配置下進(jìn)行，但是信號(hào)發(fā)生器仍按圖17所示連接在EUT一側(cè)。如果電纜長(zhǎng)度允許，電纜應(yīng)該置于0.1m高的絕緣墊或線(xiàn)槽上。
對(duì)屏蔽的試驗(yàn)等級(jí)用具有2Ω源阻抗的信號(hào)發(fā)生器。
對(duì)沒(méi)有金屬外殼的產(chǎn)品，浪涌直接施加到屏蔽電纜。
圖16適用于屏蔽線(xiàn)(見(jiàn)7.6)和電位差(見(jiàn)7.7)的試驗(yàn)配置實(shí)例
注1 連接到EUT和/或AE的電源可以經(jīng)過(guò)一去耦網(wǎng)絡(luò)，如圖7所示，而不是經(jīng)過(guò)隔離變壓器，在此情況下，應(yīng)斷開(kāi)EUT的保護(hù)接地。
注2 該配置示意圖也適用于直流供電的EUT。
圖17適用于一端接地的屏蔽線(xiàn)(對(duì)應(yīng)7.6)和電位差(對(duì)應(yīng)7.7)的實(shí)驗(yàn)配置實(shí)例
注1 連接到EUT和/或AE的電源可以經(jīng)過(guò)一去耦網(wǎng)絡(luò)，如圖7所示，而不是經(jīng)過(guò)隔離變壓器，在此情況下，應(yīng)斷開(kāi)EUT的保護(hù)接地。
注2 該配置示意圖也適用于直流供電的EUT
5.6.2 測(cè)試多根屏蔽電纜中的單根電纜的可選耦合方法
按圖18，用一根導(dǎo)線(xiàn)將浪涌盡可能地施加到受試的互連線(xiàn)纜上。在某一試驗(yàn)配置中的兩個(gè)和多個(gè)EUT（或一個(gè)EUT和AE）之間，有多根屏蔽電纜，且有多個(gè)接地點(diǎn)，為了將浪涌施加到個(gè)別電纜或一捆電纜，這種耦合方式很有效。如果個(gè)別電纜的典型安裝是被捆綁在一起的，那么試驗(yàn)也應(yīng)該在捆綁的條件下進(jìn)行。
在受試端口和與該端口連接的電纜的另一端的裝置之間的電纜長(zhǎng)度應(yīng)該是EUT規(guī)定的**長(zhǎng)度或20m兩者中短者。如果長(zhǎng)度超過(guò)1m，超過(guò)的部分應(yīng)該在電纜的中心位置以30m到40cm的長(zhǎng)度捆扎。如果因電纜太多或太硬不易捆扎，或因?yàn)闇y(cè)試是在用戶(hù)的安裝條件下進(jìn)行的，在測(cè)試報(bào)告中，應(yīng)對(duì)超長(zhǎng)電纜的處理進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
圖18適用于屏蔽線(xiàn)和電位差,特別適用于有多根屏蔽電纜配置的耦合方式和試驗(yàn)配置
說(shuō)明：
LT 必需測(cè)試的信號(hào)接口線(xiàn)
LN 不必測(cè)試的信號(hào)接口線(xiàn)
IW 注入線(xiàn)
注：這種配置也適用于直流供電的受試設(shè)備；
實(shí)驗(yàn)配置特性（AE應(yīng)該連接到地）；
信號(hào)發(fā)生器置于EUT附近；
信號(hào)發(fā)生器的共模輸出連接到EUT上；
信號(hào)發(fā)生器的輸出脈沖經(jīng)過(guò)*靠近EUT和AE之間的接口電纜的絕緣注入線(xiàn)注入到AE，絕緣注入線(xiàn)的跨接部分不是很關(guān)鍵；
ILT≈I和ILN＜＜I 大的注入電流將經(jīng)過(guò)受試電纜的屏蔽層（相同的影響）；
應(yīng)根據(jù)安裝需要選擇電纜長(zhǎng)度，該長(zhǎng)度*長(zhǎng)20m。
受試電纜應(yīng)離接地參考平板或屏蔽室的墻至少1m。
為了防止構(gòu)成電流回路，非受試電纜應(yīng)離受試電纜和接地平板或屏蔽室的墻面至少0.4m。
5.7 施加電位差的試驗(yàn)配置
在系統(tǒng)電平測(cè)試中，如必須施加電位差來(lái)模擬系統(tǒng)內(nèi)部暴露的導(dǎo)電部位和底座間可能出現(xiàn)的電壓，如漏電流，缺陷或放電，則對(duì)使用屏蔽線(xiàn)帶得系統(tǒng)可按圖16進(jìn)行試驗(yàn)，對(duì)非屏蔽線(xiàn)或屏蔽線(xiàn)j在一端接地的系統(tǒng)按圖17進(jìn)行試驗(yàn)。
5.8 EUT工作狀態(tài)
試驗(yàn)時(shí)的工作狀態(tài)和安裝情況應(yīng)與產(chǎn)品技術(shù)要求一致，應(yīng)包括兩個(gè)方面：
—試驗(yàn)布置（硬件）；
—試驗(yàn)程序（軟件）。
6試驗(yàn)程序
6.1 實(shí)驗(yàn)室參考條件
為了使環(huán)境參數(shù)對(duì)試驗(yàn)結(jié)果的影響減至*小，試驗(yàn)應(yīng)在8.1.1和8.1.2規(guī)定的氣候和電磁環(huán)境基準(zhǔn)條件下進(jìn)行。
6.1.1氣候條件
除非通用標(biāo)準(zhǔn)，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)有特別規(guī)定，實(shí)驗(yàn)室的氣候條件應(yīng)該在EUT和試驗(yàn)儀器各自的制造商規(guī)定的儀器正常工作的一切范圍內(nèi)。
如果相對(duì)濕度很高,以至于在EUT和試驗(yàn)儀器上產(chǎn)生凝露，則不應(yīng)進(jìn)行試驗(yàn)。
6.1.2電磁環(huán)境
實(shí)驗(yàn)室的電磁環(huán)境不應(yīng)影響試驗(yàn)結(jié)果。
6.2在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)進(jìn)行浪涌試驗(yàn)
試驗(yàn)之前，應(yīng)對(duì)信號(hào)發(fā)生器和耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行校驗(yàn)。性能檢查對(duì)于浪涌脈沖及其電壓和/或電流的存在通常是有限的。
試驗(yàn)應(yīng)根據(jù)試驗(yàn)方案進(jìn)行，方案中應(yīng)規(guī)定試驗(yàn)配置，應(yīng)包含如下內(nèi)容：
— 試驗(yàn)等級(jí)（電壓）；
— 浪涌次數(shù)；
除非相關(guān)的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)有規(guī)定，施加在直流電源端和互連線(xiàn)上的浪涌脈沖次數(shù)應(yīng)為正負(fù)極性各五次，對(duì)交流電源端口，應(yīng)分別在0°、90°、180°、270°相位施加正負(fù)極性各五次的浪涌脈沖；
— 連續(xù)脈沖間的時(shí)間間隔：1分鐘或更短；
— EUT的典型工作狀態(tài)；
— 浪涌施加的位置。
電源端口（直流或交流）可能是輸入或輸出端口。
注：推薦將浪涌施加于那些容易將浪涌傳導(dǎo)入EUT內(nèi)部的輸出端口（如：具有大功率損耗的開(kāi)關(guān)負(fù)載）。
如次級(jí)電路（與交流電源端口隔離）不會(huì)直接遭受瞬態(tài)高壓時(shí)（例如:可靠接地、經(jīng)過(guò)電容濾波的直流次級(jí)電路，峰峰值的紋波不及支流元件產(chǎn)生的10％）則低電壓(小于等于60V)的直流輸入/輸出端可不進(jìn)行浪涌試驗(yàn)。
在有幾個(gè)相同線(xiàn)路的情況下，只需選擇一定數(shù)量的線(xiàn)路進(jìn)行典型測(cè)量。
如果試驗(yàn)中浪涌的重復(fù)率比1/min更短使EUT發(fā)生故障，而以1/min重復(fù)率進(jìn)行測(cè)試時(shí)，EUT工作正常，通常使用1/min的重復(fù)率進(jìn)行測(cè)試
注2 如果產(chǎn)品合適，產(chǎn)品**會(huì)可能選擇不同相位角、或者增加、減少每相的浪涌次數(shù)。
注3 對(duì)常用的浪涌保護(hù)裝置，盡管它們的峰值電壓和峰值功率能經(jīng)受大電流，但是它們的平均功率較低。因此，兩次浪涌的時(shí)間間隔取決于EUT內(nèi)置的保護(hù)裝置。
測(cè)試應(yīng)用的更多信息見(jiàn)B.2。
當(dāng)進(jìn)行線(xiàn)地測(cè)試時(shí)，如果沒(méi)有其它規(guī)定，應(yīng)依次進(jìn)行測(cè)試。
試驗(yàn)程序應(yīng)考慮受試設(shè)備的非線(xiàn)性電流-電壓特性，因此，試驗(yàn)電壓只能由低等級(jí)逐步增加到產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)或試驗(yàn)方案/報(bào)告中規(guī)定的試驗(yàn)等級(jí)而不能超過(guò)它，所有較低等級(jí)（包括選擇的試驗(yàn)等級(jí)）均應(yīng)滿(mǎn)足要求。
對(duì)第二級(jí)保護(hù)試驗(yàn)時(shí)，信號(hào)發(fā)生器的輸出電壓應(yīng)增加到**級(jí)保護(hù)的**電壓擊穿值（讓通值）。
如果沒(méi)有實(shí)際工作信號(hào)源提供給EUT，可以對(duì)其模擬。
對(duì)于驗(yàn)收試驗(yàn)，應(yīng)使用以前未曾加過(guò)浪涌的設(shè)備，否則在試驗(yàn)前應(yīng)替換保護(hù)裝置。
6.3 試驗(yàn)結(jié)果的評(píng)估
試驗(yàn)結(jié)果應(yīng)依據(jù)受試設(shè)備在試驗(yàn)中的功能喪失或性能降低現(xiàn)象進(jìn)行分類(lèi)，相關(guān)的性能水平由設(shè)備的制造商或需要方確定，或由產(chǎn)品的制造商和購(gòu)買(mǎi)方雙方協(xié)商同意。建議按如下要求分類(lèi)：
a) 在制造商、委托方或購(gòu)買(mǎi)方規(guī)定的限值內(nèi)性能正常；
b) 功能或性能暫時(shí)喪失或降低，但在停止后能自行恢復(fù)，不需要操作者干預(yù)；
c) 功能或性能暫時(shí)喪失或降低，但需操作人員干預(yù)才能恢復(fù)；
d) 因設(shè)備硬件或軟件損壞，或數(shù)據(jù)丟失而造成不能恢復(fù)的功能喪失或性能降低。
由制造商提出的技術(shù)規(guī)范可以規(guī)定對(duì)EUT產(chǎn)生的某些影響是不重要的，因而是可接受的試驗(yàn)影響。
在沒(méi)有合適的通用、產(chǎn)品或產(chǎn)品類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)時(shí)， 這種分類(lèi)可以由負(fù)責(zé)相應(yīng)產(chǎn)品的通用標(biāo)準(zhǔn)、產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)和產(chǎn)品類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)的專(zhuān)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)**會(huì)用于作為明確表達(dá)功能準(zhǔn)則的指南，或作為制造商和購(gòu)買(mǎi)方協(xié)商的性能規(guī)范的框架。
7.新、舊版標(biāo)準(zhǔn)的主要區(qū)別
與GB/T 17626.5-1999的主要差異如下：
1) 增加了新的定義。
2) 增加了開(kāi)路電壓波10/700us的電流波形（5/320us）。
3) 在耦合/去耦合網(wǎng)絡(luò)EUT端口，也規(guī)定了電壓/電流波形要求。
4) 新增了耦合/去耦合網(wǎng)絡(luò)選用的流程圖。
5) 增加了用于高速通信線(xiàn)的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)和高速通信線(xiàn)的試驗(yàn)要求。
6) 對(duì)于一端接地的屏蔽線(xiàn)的測(cè)試，取消了對(duì)地電容的要求。
7) 新增了在具有多根屏蔽電纜時(shí)，對(duì)單根屏蔽電纜進(jìn)行測(cè)試的替代耦合方法。
8) 浪涌重復(fù)率改為至少每分鐘一次。
9) 修改了對(duì)試驗(yàn)結(jié)果的評(píng)價(jià)。
10) 對(duì)試驗(yàn)報(bào)告給出了詳細(xì)的規(guī)定。
11) 修改了表A.1試驗(yàn)等級(jí)的選擇。
12) 增加了附錄B中有關(guān)系統(tǒng)級(jí)抗擾度的描述。
13) 增加了附錄C。
其中前一種情況稱(chēng)為直接放電(直接對(duì)設(shè)備放電);后一種情況稱(chēng)為間接放電(通過(guò)對(duì)鄰近物體的放電,間接構(gòu)成對(duì)設(shè)備工作的影響).靜電放電可能造成的后果是:
⑴通過(guò)直接放電,引起設(shè)備中半導(dǎo)體器件的損壞,從而造成設(shè)備的**性失效.
⑵由放電(可能是直接放電,也可能是間接放電)而引起的近場(chǎng)電磁場(chǎng)變化,造成設(shè)備的誤動(dòng)作.
